onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V dc 5 A DC HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
Technische Daten
- Abmessungen
- 10.53 x 4.83 x 15.75mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V dc
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 5 A DC
- Gehäusegröße
- TO-220
- Gleichstromverstärkung min.
- 1000
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 80 V dc
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
- 4 V dc
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 80 V dc
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Tip120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP120, TIP125 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP121, TIP126 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP122, TIP127 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC= 3,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059045737247