onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V dc 5 A DC HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach

Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A DC
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Konfiguration = Single
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V dc
Höhe = 15.75mm

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Tip120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP120, TIP125 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP121, TIP126 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP122, TIP127 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC= 3,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket