onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 5 A DC HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach

Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A DC
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 500
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V dc
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 1,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP110, TIP115 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP111, TIP116 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP112, TIP117 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,5 Vdc (max.) @ IC= 2,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket