onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 5 A DC HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach

Name: onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 5 A DC HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach
Brand: onsemi
Price: 17.85 EUR
Availability: InStock

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: TIP110G

Produkt-Nr.: P-CDCF67

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Basis-Emitter Spannung max.: 5 V dc
Dauer-Kollektorstrom max.: 5 A DC
Gehäusegröße: TO-220
Gleichstromverstärkung min.: 500
Höhe: 15.75mm
Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V dc
Kollektor-Emitter-Spannung: 60 V dc
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 1,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP110, TIP115 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP111, TIP116 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP112, TIP117 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,5 Vdc (max.) @ IC= 2,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket