onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 10 A dc HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach

Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A dc
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Konfiguration = Single
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 3 V dc
Betriebstemperatur min. = –65 °Cmm

Der Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ Ic=5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter T0-220AB Kompaktgehäuse