onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 10 A dc HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach

Name: onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V dc 10 A dc HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
Brand: onsemi
Price: 5.55 EUR
Availability: InStock

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: 2N6387G

Produkt-Nr.: P-CGS8C3

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Basis-Emitter Spannung max.: 5 V dc
Dauer-Kollektorstrom max.: 10 A dc
Gehäusegröße: TO-220
Gleichstromverstärkung min.: 1000
Höhe: 15.75mm
Kollektor-Basis-Spannung max.: 60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 3 V dc
Kollektor-Emitter-Spannung: 60 V dc
Konfiguration: Single

Produktbeschreibung

Der Power 8A 80 V NPN Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Collector-Emitter-Haltespannung - @ 100 mADC, VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - 2N6387, VCEO (sus) = 80 Vdc (min) - 2N6388 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigung - Vce(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ Ic=5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter T0-220AB Kompaktgehäuse