onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: MJ11032G
Produkt-Nr.: P-CDD3TY
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V
- Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.
- 4,5 V
- Betriebstemperatur max.
- +200 °Cmm
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 50 A
- Gehäusegröße
- TO-204
- Gleichstromverstärkung min.
- 400
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 120 V
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
- 3,5 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 120 V
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-204
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 2
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 400
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 3,5 V
Betriebstemperatur max. = +200 °Cmm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042800340
