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onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: MJ11032G

Produkt-Nr.: P-CDD3TY

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.
4,5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Dauer-Kollektorstrom max.
50 A
Gehäusegröße
TO-204
Gleichstromverstärkung min.
400
Kollektor-Basis-Spannung max.
120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3,5 V
Kollektor-Emitter-Spannung
120 V

Produktbeschreibung

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042800340