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onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:200, TO-220AB 3-Pin Einfach

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: TIP102G

Produkt-Nr.: P-CC3C2X

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Gewicht
1 g
Gleichstromverstärkung min.
200
Höhe
9.28mm
Kollektor-Abschaltstrom max.
0.05mA
Kollektor-Basis-Spannung max.
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2,5 V

Produktbeschreibung

Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 200
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.05mA
Höhe = 9.28mm

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Produktangebot

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042872552