onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 460 mA, 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N, P
- Dauer-Drainstrom max.
- 460 mA, 680 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 25 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,1 Ω, 450 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 0.65V
- Gate-Source Spannung max.
- –8 V, +8 V
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 460 mA, 680 mA
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω, 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 900 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Höhe = 1mm
Digitale FETs, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042784619
