onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4

Name: onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FCH023N65S3L4

Produkt-Nr.: P-CDB4HG

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 75 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V
Gate-Source Spannung max.: ±30 V
Gehäusegröße: TO-247-4
Höhe: 22.74mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.8mm
Höhe = 22.74mm