onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 500 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur max.

+150 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

70 A

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

±30 V