onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 65 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 158 nC @ 10 V
Höhe = 20.82mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045297543