onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-220AB

Name: onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: RFP70N06

Produkt-Nr.: P-CC8G7C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 70 A
Drain-Source-Spannung max.: 60 V
Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 120 nC @ 20 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 120 nC @ 20 Vmm
Höhe = 9.4mm

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.