onsemi N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 89 A, 4-Pin TO-247-4L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

89 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4