onsemi N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 44 A 348 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Breite
- 4.82mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 44 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 162 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1.8V
- Gate-Source Spannung max.
- -15 V, +25 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 162 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 348 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +25 V
Breite = 4.82mm
Höhe = 20.82mm
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045832645
