onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 260 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Breite

1.4mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

260 mA

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

2.6V

Gate-Schwellenspannung min.

1.9V

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gehäusegröße

SOT-23