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onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,6 A 470 mW, 3-Pin SOT-23

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NTR3C21NZT1G

Produkt-Nr.: P-CC4NPN

Technische Daten

Breite
1.4mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
3,6 A
Drain-Source-Spannung max.
20 V
Drain-Source-Widerstand max.
55 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
1V
Gate-Schwellenspannung min.
0.45V
Gate-Source Spannung max.
±8 V
Gehäusegröße
SOT-23

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 470 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm

Extrem niedriger RDS(on) in SOT-23-Gehäuse Advanced Trench Technology Verbesserte Systemeffizienz Anwendungen: Netzlastschalter Stromüberwachungseinheit

Produktangebot

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045351429