onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 30 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 110 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
