onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 540 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 250 mW
Gate-Source Spannung max. = ±7 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2mm
Höhe = 0.6mm

Dies ist ein 20-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz Niedrige Schwellenspannung Kleine Abmessungen: 1,6 x 1,6 mm ESD-geschütztes Gate Anwendungen: Last-/Netzschalter Netzteil-Wandlerschaltungen Batteriemanagement