onsemi MJH6287G THT, PNP Transistor –100 V / -40 A 1 MHz, TO-218 3-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.2 x 4.9 x 20.35mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 1 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V
- DC Kollektorstrom max.
- -40 A
- Gehäusegröße
- TO-218
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 100 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- –100 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-218
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.2 x 4.9 x 20.35mm
Der bipolare Darlington-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltmotorsteuerungsanwendungen entwickelt.Schaltregler Kollektor-Emitter-Spannung VCEV = 1000 V dc Umrichter Schnelle Ausschaltzeiten Magnete 80 ns Induktive Abfallzeit 100 C (typ.) Relaistreiber 120 ns Induktive Crossover-Zeit 100 C (T Motorsteuerungen 800 ns induktive Lagerzeit 100 C (T Ablenkungsschaltungen 100 C Leistung spezifiziert für: Reverse-Biased SOA mit induktiven Lastschaltzeiten mit induktiven Lasten Sättigungsspannungen Leckströme Erweiterte FBSOA-Klassifizierung mit ultraschnellen Gleichrichtern Extrem hohe RBSOA-Fähigkeit
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045348764
