onsemi MJF15030G THT, NPN Transistor 150 V / 8 A 30 MHz, TO-220 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 30 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- DC Kollektorstrom max.
- 8 A
- Gehäusegröße
- TO-220
- Gleichstromverstärkung min.
- 40
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 150 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 150 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 2 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 150 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 30 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059042864717
