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onsemi MJE3055TG THT, NPN Transistor 60 V / 10 A 2 MHz, TO-220AB 3-Pin

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: MJE3055TG

Produkt-Nr.: P-CDBPTN

Technische Daten

Abmessungen
9.28 x 10.28 x 4.82mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Arbeitsfrequenz max.
2 MHz
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
DC Kollektorstrom max.
10 A
Gehäusegröße
TO-220AB
Gleichstromverstärkung min.
20
Kollektor-Basis-Spannung max.
70 V
Kollektor-Emitter-Spannung
60 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 75 W
Gleichstromverstärkung min. = 20
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 70 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm

Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059042864731