onsemi MJE18004G THT, NPN Transistor 450 V / 5 A 13 MHz, TO-220AB 3-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 13 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 9 V
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- DC Kollektorstrom max.
- 5 A
- Gehäusegröße
- TO-220AB
- Gleichstromverstärkung min.
- 14
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 450 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Gleichstromverstärkung min. = 14
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 9 V
Arbeitsfrequenz max. = 13 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059042101515
