onsemi MJD42CG SMD, PNP Transistor –100 V / -10 A 1 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 6.73 x 6.22 x 2.25mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Arbeitsfrequenz max.
- 1 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V dc
- DC Kollektorstrom max.
- -10 A
- Gehäusegröße
- DPAK (TO-252)
- Gleichstromverstärkung min.
- 15
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 100 V dc
- Kollektor-Emitter-Spannung
- –100 V
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 15
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.25mm
Der bipolare Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Niederspannungsschaltanwendungen entwickelt. MJD41C (NPN) und MJD42C (PNP) sind komplementäre Geräte.Kabel geformt für SMD-Anwendungen in Kunststoffhülsen (ohne Suffix) Gerade Ausführung in Kunststoffhülsen (-1 Suffix) Ausführung mit Anschlussform in 16-mm-Band und Rolle (T4-Suffix) Elektrisch ähnlich wie die beliebten Serien TIP41 und TIP42 Dies sind bleifreie Gehäuse
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045752783
