onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

150°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.89V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.1nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-8/8 V

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

680mA