onsemi Isoliert Typ N-Kanal, Fahrgestell SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A 950 W, 36-Pin F2
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Durchlassspannung (Vf)
- 6V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 847nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 25 V
- Gehäusegröße
- F2
- Höhe
- 17mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 304A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.Options with pre−applied thermal interface material Options with solderable pins and press−fit pins Pb−free RoHS compliant
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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