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onsemi Isoliert Typ N-Kanal, Fahrgestell SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A 950 W, 36-Pin F2

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH006P120MNF2PTG

Produkt-Nr.: P-CC2XRT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-40°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
1200V
Durchlassspannung (Vf)
6V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
847nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
25 V
Gehäusegröße
F2
Höhe
17mm
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
304A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.Options with pre−applied thermal interface material Options with solderable pins and press−fit pins Pb−free RoHS compliant

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET