onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180BF (bleifrei und halidefrei) Pressstifte
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 61 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 61 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 186 W
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT