onsemi IGBT-Modul / 35 A ±20.0V max. 6-fach, 650 V DIP26 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

35 A

Gate-Source Spannung max.

±20.0V

Gehäusegröße

DIP26

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Montage-Typ

THT