onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

Name: onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH100B120H3Q0STG

Produkt-Nr.: P-CZGN5C

Technische Daten

Abmessungen: 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max.: +150 °C
Channel-Typ: N
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: Q0BOOST
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 22
Transistor-Konfiguration: Dual
Verlustleistung max.: 186 W

Produktbeschreibung

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 186 W
Gehäusegröße = Q0BOOST
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 22
Transistor-Konfiguration = Dual
Abmessungen = 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Das NXH100B120H3Q0 ist ein Versorgungsmodul einschließlich zweifacher Boost-Stufe bestehend aus zwei 50A / 1200 V IGBTs, zwei 20A / 1200 V SiC-Dioden und zwei 25 A / 1600 V antiparallelen Dioden für die IGBTs. Zwei zusätzliche 25 A / 1600 V Bypass-Gleichrichter zur Begrenzung des Einschaltstroms sind enthalten. Einen integrierter Heißleiter ist enthalten.IGBT-Spezifikationen: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ Schneller IGBT mit niedriger VCE(SAT) für hohe Effizienz 25 A / 1600 V Bypass- und antiparallele Dioden Bypass-Dioden mit niedriger Durchlassspannung für ausgezeichneten Wirkungsgrad im Bypass-Modus SiC-Gleichrichter, technische Daten: VF = 1,44 V SiC-Diode für hohe Schaltgeschwindigkeit Optionen für Löt- und Presssitzstifte erhältlich Flexible Montage Anwendungen MPPT-Boost-Stufe Ladegerät-Ladestufe