onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal

Name: onsemi IGBT-Modul ±20V max., 1200 V 186 W, 22-Pin Q0BOOST N-Kanal
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH100B120H3Q0PTG

Produkt-Nr.: P-CZGN5B

Technische Daten

Abmessungen: 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max.: +150 °C
Channel-Typ: N
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: Q0BOOST
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 22
Transistor-Konfiguration: Dual
Verlustleistung max.: 186 W

Produktbeschreibung

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 186 W
Gehäusegröße = Q0BOOST
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 22
Transistor-Konfiguration = Dual
Abmessungen = 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C