onsemi IGBT / 80 A ±25V max., 1200 V 555 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.87 x 4.82 x 20.82mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±25V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Verlustleistung max. = 555 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Einfach
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Diskrete IGBTs, 1000 V und mehr, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059042649765