onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Name: onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FGH40N60SMD

Produkt-Nr.: P-CDCW32

Technische Daten

Abmessungen: 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur min.: -55 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 80 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Transistor-Konfiguration: Einfach

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 349 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor