onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-4LD
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 30
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- TO-247-4LD
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 30
Gehäusegröße = TO-247-4LD
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
