onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 535 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.25 x 5.3 x 21.4mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 1MHz
Produktbeschreibung
IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059042409888