onsemi IGBT / 75 A ±20V max. , 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 75 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Verlustleistung max.
- 375 W
Produktbeschreibung
Die Serie on Semiconductor AFGHL ist IGBT, der die optimale Leistung mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten für hocheffiziente Vorgänge in verschiedenen Anwendungen bietet, die keine Spezifikation für Rückgewinnung erfordern.Hohe Strombelastbarkeit Schnelle Schaltgeschwindigkeit Enge Parameterverteilung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT