onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 6
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 5 A
- Gate-Source Spannung max.
- 16.5V
- Gehäusegröße
- DIP
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Pinanzahl
- 39
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 16.5V
Anzahl an Transistoren = 6
Gehäusegröße = DIP
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 39
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
