onsemi IGBT / 200 A ±20V max. , 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Nennleistung = 160mJ

Dieser bipolare Transistor mit isoliertem Gate (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Feld-Stop IV-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. Darüber hinaus ist dieses neue Gerät in einem TO-247-4L-Gehäuse verpackt, das im Vergleich zum Standard-TO-247-3L-Gehäuse eine deutliche Reduzierung der Einschaltverluste bietet. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Graben mit Feld-Stop-Technologie TJmax = 175 °C Verbesserte Gate-Steuerung verringert Schaltverluste Separater Emitter-Antriebsstift TO-247-4L für minimale Einschaltverluste Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltung Hierbei handelt es sich um bleifreie Geräte Solarwechselrichter Unterbrechungsfreie Inverter-Stromversorgung Neutralpunkt-Klemmentopologie