onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

Name: onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FGH40T120SQDNL4

Produkt-Nr.: P-CC4RWX

Technische Daten

Abmessungen: 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Betriebstemperatur min.: –55 °CpF
Channel-Typ: P
Dauer-Kollektorstrom max.: 160 A
Gate-Source Spannung max.: ±30V
Gehäusegröße: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 4
Transistor-Konfiguration: Einfach

Produktbeschreibung

Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei Anwendungen Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen