onsemi IGBT / 150 A ±20V max. , 650 V 455 W, 4-Pin TO-247
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.8 x 5.2 x 22.74mm
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CpF
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 150 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Schaltgeschwindigkeit
- 1MHz
Produktbeschreibung
Dank der neuartigen Feldsperren-IGBT-Technologie bietet die neue Serie der Feldsperren-IGBTs der 3. Generation von Fairchild optimale Leistung für Solar-Wechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikation, ESS- und PFC-Anwendungen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste unentbehrlich sind.Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb Hohe Strombelastbarkeit Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,6 V (typ.) bei IC = 75 A 100 % der Teile getestet für ILM(1) Hohe Eingangsimpedanz Schnelle Schaltgeschwindigkeit Enge Parameterverteilung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059045714699