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onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: AFGY120T65SPD

Produkt-Nr.: P-CZGVW6

Technische Daten

Anzahl an Transistoren
1
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
120 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung
650 V
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach
Verlustleistung max.
714 W

Produktbeschreibung

Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.Enge Parameterverteilung Hohe Eingangsimpedanz Kurzschluss-Robustheit Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT