onsemi IGBT / 120 A ±20V max. , 650 V 714 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 120 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Verlustleistung max.
- 714 W
Produktbeschreibung
Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.Enge Parameterverteilung Hohe Eingangsimpedanz Kurzschluss-Robustheit Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT