onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal

Name: onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FGA60N65SMD

Produkt-Nr.: P-CC6TLW

Technische Daten

Abmessungen: 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 120 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Transistor-Konfiguration: Einfach

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 600 W
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor