onsemi FDB38N30U SMD Digitaler Transistor, D2PAK 2 + Tab-Pin

Gehäusegröße = D2PAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 313 W
Pinanzahl = 2 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm

UniFETTM MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Familie, die auf planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Verbesserung der Schaltleistung und der Lawinenenergie ausgelegt. UniFET Ultra FRFETTM MOSFET hat eine sehr viel überlegene Leistung bei der Wiederherstellung von Dioden im Gehäuse. Seine trr ist weniger als 50nsec und die Umkehrdu/dt-Störfestigkeit ist 20V/nsec, während normale planare MOSFETs über 200nsec bzw. 4.5V/nsec haben. Deshalb kann UniFET Ultra FRFET MOSFET zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit in bestimmten Anwendungen verbessern, die eine Leistungsverbesserung der MOSFET-Gehäusediode erfordern. Diese Gerätefamilie eignet sich zum Schalten von Stromwandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD) TV-Leistung, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.RDS(ein) = 120 mΩ (max.) @ VGS = 10 V, ID = 19 A Niedrige Gatterladung ( Typ. 56 nC) Niedrige Crss (Typ. 55 pF) Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.