onsemi FDA38N30 THT Digitaler Transistor, TO-3P 3-Pin

Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 312 W
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm

UniFETTM MOSFET ist eine Hochspannungs-MOSFET-Familie, die auf planarer Streifen- und DMOS-Technologie basiert. Dieser MOSFET ist auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Verbesserung der Schaltleistung und der Lawinenenergie ausgelegt. Diese Gerätefamilie eignet sich zum Schalten von Stromwandleranwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD) TV-Leistung, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.RDS(on) = 70 mΩ ( typ.) @ VGS = 10 V, ID = 19 A Niedrige Gatterladung ( Typ. 60 nC) Niedrige Crss (Typ. 60 pF) Verbesserte ESD-Eigenschaften Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.