onsemi FCH040N65S3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 65 A 417 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 65 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Länge
- 15.87mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = FCH040N65S3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 417 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.82mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042536140
