onsemi FCH029N N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,029 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- FCH029N
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = FCH029N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,029 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Bleifrei RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
