onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- 150°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 900mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 7 V
- Gehäusegröße
- SOT-563
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 540mA
Produktbeschreibung
Dies ist ein 20-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz Niedrige Schwellenspannung Kleine Abmessungen: 1,6 x 1,6 mm ESD-geschütztes Gate Anwendungen: Last-/Netzschalter Netzteil-Wandlerschaltungen Batteriemanagement
Produktangebot
9,15 €
10,89 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 1 TageGarantie: 12 Monate
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045246367