onsemi Darlington-Transistor 1 80 V dc 5 A NPN HFE:1000, TO-220 3-Pin

Name: onsemi Darlington-Transistor 1 80 V dc 5 A NPN HFE:1000, TO-220 3-Pin
Brand: onsemi
Price: 15.61 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: TIP121G

Produkt-Nr.: P-CDCF7B

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 1000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 5V dc
Gehäusegröße: TO-220
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 80V dc
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 80V dc
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 2V
Maximale Verlustleistung (Pd): 65W

Produktbeschreibung

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Tip120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP120, TIP125 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP121, TIP126 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP122, TIP127 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC= 3,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket