onsemi Darlington-Transistor 1 60 V dc 2 A NPN HFE:500, TO-220 3-Pin

Name: onsemi Darlington-Transistor 1 60 V dc 2 A NPN HFE:500, TO-220 3-Pin
Brand: onsemi
Price: 17.85 EUR
Availability: InStock

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: TIP110G

Produkt-Nr.: P-CDCF67

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 500
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 5V dc
Gehäusegröße: TO-220
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 60V dc
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 60V dc
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 2.5V dc
Maximale Verlustleistung (Pd): 50W

Produktbeschreibung

Der Darlington Bipolar-Leistungstransistor wurde für allgemeine Verstärker- und Low-Speed-Schaltanwendungen entwickelt. Die TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 1,0 Adc Collector-Emitter-Haltespannung bei 30 mA VCEO(sus) = 60 Vdc (min.) TIP110, TIP115 VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) TIP111, TIP116 VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) TIP112, TIP117 Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,5 Vdc (max.) @ IC= 2,0 Adc = 4,0 Vdc (max.) @ IC= 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Kompaktes TO-220 AB-Paket