onsemi BDX53BG THT, NPN Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 10.53 x 4.83 x 9.28mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5 V dc
- Gehäusegröße
- TO-220
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 80 V dc
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
- Transistor-Typ
- NPN
- Verlustleistung max.
- 65 W
Produktbeschreibung
Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Zu-220AB Kompaktgehäuse Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059045765448