onsemi BDX53BG THT, NPN Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin

Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 9.28mm

Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter Zu-220AB Kompaktgehäuse Bleifreie Gehäuse sind verfügbar