onsemi BDX33BG THT, NPN Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin

Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 70 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 9.28mm

Der Bipolartransistor mit 10 A, 100 V PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX33B, BDX33C, BDX34B und BDX34C sind ergänzende Geräte.Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 2500 (typ.) bei IC = 4,0 Collector-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX33B, 34B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung CE(sat) = 2,5 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc BDX33B, 33C/34B, 34C Monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Shunt-Widerständen Zu-220AB Kompaktgehäuse Bleifreie Gehäuse sind verfügbar