onsemi BD244CG THT, PNP Digitaler Transistor –100 V, TO-220 3-Pin

Transistor-Typ = PNP
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 65 W
Gleichstromverstärkung min. = 30
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm

Der bipolare 100-V-PNP-Leistungstransistor mit 6 A ist für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. BD243B, BD243C (NPN), BD244B, BD244C (PNP) sind ergänzende Geräte.Kollektor - Sättigung des Strahlers - VCE(sat) = 1,5 Vdc (max.) bei IC = 6,0 Adc Kollektor-Emitter-Haltespannung - VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BD243C, BD244C. High Current Gain Bandwidth Produkt fT = 3,0 MHz (min.) bei IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Paket Bleifreie Gehäuse sind verfügbar