Mitsubishi IGBT-Modul / 50 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

50

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Dreiphasenbrücke

Montage-Typ

Tafelmontage

Transistor-Konfiguration

3-phasig