Mitsubishi IGBT-Modul / 100 20V max. 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

100

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Montage-Typ

PCB-Montage

Transistor-Konfiguration

3-phasig